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DRAM芯片战争

2017-11-11 02:32| 发布者: 林林| 查看: 5499| 评论: 4|原作者: 超级工程一览|来自: 超级工程一览

摘要: 本文介绍围绕芯片的战争。指出中国芯片产生落后于世界的根本原因。上海当年的电子工业拥有良好产业基础。上海冶金研究所研制的离子注入机,还曾出口日本。而短短十年之后,上海电子工业全面破产倒闭。谁该承担这一历史罪责?

1990年,中国大幅降低关税、取消计算机产品进出口批文、开放了国内电脑市场。顷刻间,国外的286386电脑如潮水般涌入,长城、浪潮、联想等国内公司溃不成军。1991年由美国英特尔和AMD,掀起的黑色降价风暴,更是让中国计算机产业雪上加霜。由于绝大多数整机企业,积压了高价买进的芯片,从而背上巨额亏损的包袱,一家家电脑整机厂商,前赴后继般悲壮地倒在了血雨腥风之中。长城、浪潮和联想也都元气大伤。在微电子集成电路方面,国内企业继80年代中后期陆续亏损后,90年代纷纷倒闭,国内集成电路工业,逐步变为三资企业为主的局面。据专家估计, 1990年代末,中国微电子科技水平,与国外的差距至少是10年。

八英寸晶圆厂——摩托罗拉在天津拖了六年

1995
12月,为落实九五计划中,半导体生产工艺达到0.5微米的目标,国务院与上海市政府批准了0九工程。包括建设晶圆厂和建立设计公司两大任务。其中上海市政府出资40亿元(5亿美元),成立华虹微电子。日本NEC出资2亿美元,双方成立华虹NEC,合计投资12亿美元,在浦东建设8英寸晶圆厂。由NEC提供0.35微米技术,生产当时主流的64M DRAM内存芯片。由于决策执行迅速,华虹NEC19999月投产,次年实现盈利。2000年起,中国政府更换第二代IC式身份证和社保卡,华虹NEC成为主要制造商,拿到大量订单。

1996
年,美国摩托罗拉提出,准备在天津投资122亿元人民币,建设一座当时中国最先进的8英寸晶圆厂(MOS-17)。凭借这个条件,摩托罗拉成为2001年前,唯一获得中国政府特许,独资设立手机厂的企业,而且是唯一拿到GSMCDMA,两张手机生产许可证,及内销许可证的外国企业。摩托罗拉因此在中国大赚特赚,占领了超过半数手机市场,光是1999年销售额就达到260亿元。但是直到2000年,天津的8寸厂才开始动工,2002年才正式量产(2004年被中芯国际收购)。此时国际上已经纷纷开始建设12英寸晶圆厂。

1998
年,电子工业部和邮电部合并,组建信息产业部,邀请海外华人专家,参与讨论制定产业指导政策。台湾世大半导体老板张汝京赴大陆考察。电子工业部曾考虑聘请张汝京出任总经理,结果未如愿。到1999年底,世大半导体被台积电并购后,张汝京便决定投资大陆。20006月,在上海市政府支持下,张汝京创办中芯国际,一期投资14.76亿美元,其中上海国有银行提供了12亿美元贷款。20019月,中芯国际在上海张江,建成第一座8英寸晶圆厂,采用0.25微米工艺(设计月产能5万片)。

十二寸晶圆厂——中芯国际专做接盘侠

2000
年,北京市政府,计划由首钢集团出面,与美国AOS(万代半导体),合资组建华夏半导体,投入13.35亿美元,建设8英寸晶圆厂。其中北京市愿意提供6.2亿美元贷款。然而随着2001年全球半导体市场跌入低谷,该项目流产。此后,中芯国际提出在北京建设中国第一座12英寸晶圆厂(Fab4),获得北京市政府大力支持,2004年建成(计划月产能4.5万片),采用100纳米工艺,为英飞凌、尔必达代工生产DRAM。该厂总投资12.5亿美元,北京市最初承诺提供6亿美元贷款,不过直到20056月,才将贷款拨给中芯国际,导致Fab4直至2006年才大规模量产。

2003
年,江苏无锡市政府,获悉韩国海力士在中国各地挑选投资地点,便成立了812项目,全力争取海力士投资。无锡开出了比上海和苏州,更大的资金优惠条件。最终韩国海力士与意法半导体(ST)合资,在无锡投资20亿美元,建设一座8寸晶圆厂,和一座12寸晶圆厂。其中无锡市政府总计为该项目,提供了10亿美元贷款。在土地方面,由无锡市政府出资3亿美元,建设两座占地54万平方米,和面积32万平方米的晶圆厂房,租赁给韩国海力士及意法半导体使用。

2006
年,湖北省与武汉市政府投资100亿元,组建武汉新芯,建设12英寸晶圆厂。该项目是湖北省历史上,单项投资金额最大的项目,设计月产能6-7万片。由于湖北省缺乏相关人才和技术,从项目之初,武汉新芯和中芯国际就签订了托管协议,由中芯国际提供技术支援。2008年武汉新芯投产后,由于产能开工不足,长年处于亏损状态。2010年,美国镁光和台湾台积电,都对武汉新芯虎视眈眈,希望并购。由于中央政府担心国际寡头,危及中国半导体产业安全,因此支持中芯国际入主武汉新芯。201010月,双方签订合作协议。但是到2013年,两企业开始分道扬镳。

2014
2月,武汉新芯和美国飞索(Spansion),签定技术合作协议,由飞索提供技术,在武汉新芯共同研发新型的3D NAND Flash。美国飞索是1993年日本富士通和美国AMD,共同出资设立的NOR Flash研制公司。2009年飞索因业绩连续滑坡倒产,被赛普拉斯(Cypress)收购成为其全资子公司。虽然,飞索从来就没有生产过NAND芯片,但是,包括三星在内,现在所有的3D NAND Flash技术,其基本原理是飞索最早开发的MirrorBit技术。不过在量产技术方面,飞索远远落后于韩国三星。

陕西西安,韩国三星电子西安厂区,由西安市政府免费提供土地,并花费数十亿元建设厂房,再租赁给韩国三星。西安市在十年内,收不到一分钱税费。

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最新评论

引用 yiou 2017-11-13 18:52
网上浏了浏谈论DRAM芯片战争的问题青松的文章公正客观。多数奉承今上溜须拍马的让人肉麻,想封死青松又封不死,于是就“不争论”罢。
引用 yiou 2017-11-13 18:30
青松的文章让人振奋踏实。可惜改开教偷天换日之后,崇洋媚外的今天即使有点进步成绩但在彻底否定前30年的辉煌成就这种偷天骗术就让人恶心今上的丑恶心态嘴脸。
引用 水边 2017-11-12 02:33
这些帐都要清算。
引用 水边 2017-11-12 02:32
责编 水边

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